- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK8Q65W,S1Q
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK8Q65W,S1Q
- 商品编号
- C5798231
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.55 Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)
应用领域
- 开关稳压器