TPH1110FNH,L1Q
1个N沟道 耐压:250V 电流:10A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH1110FNH,L1Q
- 商品编号
- C5802572
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 57W;1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@100V |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 11.6 nC(典型值)
- 输出电荷小:Qoss = 46 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 5.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 泄漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)
- 增强模式:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
