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TK560P65Y,RQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS，RDS(ON) = 0.43Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：VtA = 3至4V，VDS = 10V，ID = 0.24mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK560P65Y,RQ
- 商品编号
- C5798210
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.24mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.79 mA）
应用领域
- 开关稳压器