TK7J90E,S1E
1个N沟道 耐压:900V 电流:7A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK7J90E,S1E
- 商品编号
- C5798218
- 商品封装
- TO-3P(N)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@25V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.5 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 525V）
- 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）