TK7S10N1Z,LXHQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK7S10N1Z,LXHQ
- 商品编号
- C5798227
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V,3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF@10V |
商品特性
- 1.5-V驱动
- 低导通电阻：漏源导通电阻RDS(ON) = 311 mΩ（最大值）（@栅源电压VGS = -1.5 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 231 mΩ（最大值）（@栅源电压VGS = -1.8 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 179 mΩ（最大值）（@栅源电压VGS = -2.5 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 150 mΩ（最大值）（@栅源电压VGS = -4.5 V）