商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品特性
- 超低导通电阻
- 具备非箝位电感开关（UIS）额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 工作温度达175°C
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
应用领域
- 汽车领域
- 电机驱动
- 高端开关
- 12V电池
- 防抱死制动系统（ABS）
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 初级侧开关
- 大电流开关应用