SIHG21N80AEF-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:16.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG21N80AEF-GE3
- 商品编号
- C5753920
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.511nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 第四代沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数（FOM）
- 针对最低的导通电阻-输出电容品质因数进行调谐
- 经过100%反向恢复和非钳位感性开关测试
- 顶部散热特性为热传递提供额外途径
应用领域
- 同步整流
- 原边开关
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用
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