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SIHG44N65EF-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHG44N65EF-GE3

1个N沟道 耐压:650V 电流:46A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHG44N65EF-GE3
商品编号
C5753924
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)29A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)417W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)278nC@10V
输入电容(Ciss)5.892nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

-采用E系列技术的快速体二极管MOSFET-降低trr、Qrr和IRRM-低品质因数(FOM):Ron × QG-低输入电容(Ciss)-因Qrr降低而具有低开关损耗-超低栅极电荷(QG)-雪崩能量额定(UIS)-符合RoHS标准-无卤

应用领域

-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-发光二极管(LED)-消费电子和计算机-ATX电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑结构的应用-LLC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥

数据手册PDF