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SIHG25N50E-GE3实物图
  • SIHG25N50E-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIHG25N50E-GE3

1个N沟道 耐压:500V 电流:26A

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描述
特性：低品质因数 (FOM)：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：硬开关拓扑。 功率因数校正电源 (PFC)
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHG25N50E-GE3
商品编号
C5753922
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on))145mΩ@10V,12A
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)86nC@10V
输入电容(Ciss)1.98nF@100V
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

数据手册PDF

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