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IRF7469TR(UMW)
耐压:40V 电流:9A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=40V。 RDS(ON)<17mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<21mΩ(VGS=4.5V)。 超低栅极阻抗。 极低的RDS(on)。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：用于电信和工业的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器。 用于计算机处理器电源的高频降压转换器
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7469TR(UMW)
- 商品编号
- C5693001
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1962克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@7.2A | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感式开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，最大限度降低功率损耗
- 低QG，最大限度降低开关损耗
- 封装高度小于1.1mm，适用于轻薄型应用
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的产品型号（DMNH6012SPSQ）有单独的数据手册
应用领域
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光照明