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IRFR5305TR(UMW)
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRFR5305TR(UMW)
- 商品编号
- C5693005
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47692克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子系统 DC-DC转换器
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = -60 V,漏极电流ID = -30 A
- 导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ(栅源电压VGS = -10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ(栅源电压VGS = -4.5 V)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关