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IRFR9024NTR(UMW)
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRFR9024NTR(UMW)
- 商品编号
- C5693006
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47596克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.447nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 97.3pF |
商品概述
这款功率MOSFET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。它专为电源、转换器和动力电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并能为意外电压瞬变提供额外的安全余量。
商品特性
- VDS(V) = -60V
- ID = -12A（VGS = -10V）
- RDS(ON) = 150mΩ（VGS = -10V）
- 规定了雪崩能量
- 规定了高温下的IDSS和VDS(ON)
- 专为低电压、高速开关应用设计，能在雪崩和换向模式下承受高能量