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FDV304P(UMW)
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：采用专有、高单元密度的DMOS技术制造。 VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -2.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDV304P(UMW)
- 商品编号
- C5693008
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |