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IRF7389TR(UMW)
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A 5.3A
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- 描述
- 通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，非常适合各种电源应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7389TR(UMW)
- 商品编号
- C5693012
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A；5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V；58mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC；23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF；710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF；180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF；320pF |
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