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IRF7309TR(UMW)
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：N沟道：VDS(V)=30V，RDS(ON)<50mΩ(VGS=4.5V)，RDS(ON)<70mΩ(VGS=2.7V)，兼容现有表面贴装技术。 P沟道：VDS(V)=30V，RDS(ON)<100mΩ(VGS=4.5V)，RDS(ON)<140mΩ(VGS=2.7V)，行业标准引脚排列，SO-8封装
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7309TR(UMW)
- 商品编号
- C5693013
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.190167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A；3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V；70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |