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SCT070W120G3-4AG
碳化硅功率MOSFET器件
- 描述
- 这款碳化硅功率MOSFET器件采用第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on)，结合低电容和非常高的开关操作，可在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面提高应用性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT070W120G3-4AG
- 商品编号
- C5693016
- 商品封装
- HiP247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 236W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@18V |
商品概述
该碳化硅功率MOSFET器件采用sTs先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDs(on)，结合低电容和极高的开关操作，可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
商品特性
- AEC-Q101合格
- 整个温度范围内具有极低的RDs(on)
- 高速开关性能
- 非常快速且稳健的本征体二极管
- 极高的工作结温能力（TJ=200℃）
- 用于提高效率的源极感应引脚
应用领域
- 主逆变器（电力牵引）
- 电动汽车/混合动力汽车DC/DC转换器
- 车载充电器（OBC）