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FDC604P(UMW)
P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDC604P(UMW)
- 商品编号
- C5693004
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V；53mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |