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DMN2005UFGQ-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:18A 电流:50A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2005UFGQ-13
- 商品编号
- C5624107
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 477pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STN4900 是双 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 低RDS(ON)— 确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 占用的电路板面积仅为SO - 8的33%,可使终端产品更小
- 100%非箝位电感开关,生产过程中进行测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证,具备高可靠性
- 支持生产件批准程序(PPAP)
应用领域
-电机控制-负载开关-DC-DC转换器