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DMN3018SFGQ-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3018SFGQ-13
- 商品编号
- C5624116
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 697pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于1805 MHz至2200 MHz频率基站应用的60 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具备出色的热稳定性
- 非对称设计，可在整个频段实现最佳效率
- 较低的输出电容，可改善Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，可实现出色的数字预失真
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
适用于1805 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器