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DMT10H032LFVW-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H032LFVW-13
- 商品编号
- C5624187
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 683pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-适用于电源应用的高BVdss额定值-低输入电容-快速开关-高效率-完全无铅,完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电机控制-背光灯-交流-直流转换器