温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT47M2SFVW-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:15.4A 电流:49.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT47M2SFVW-13
- 商品编号
- C5624206
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49.1A；15.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.1W；2.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 897pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.4pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将漏源导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 散热高效封装 - 适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 低漏源导通电阻 - 最大限度降低导通状态损耗
- 封装高度<1.1mm – 非常适合轻薄应用
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 开关