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DMT61M5SPSW-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:215A
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- 描述
- 新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化 RDo(s(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT61M5SPSW-13
- 商品编号
- C5624218
- 商品封装
- PowerDI5060-8(SWP)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 215A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.306nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 184pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度降低导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位感性开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低 RDS(ON),将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器