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DMTH10H009SPSQ-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:14A 86A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：• 电机控制
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H009SPSQ-13
- 商品编号
- C5624227
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W；1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
F5N50L是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热效率高的封装,使应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄应用(PowerDI)
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- DMTH10H009SPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理