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DMTH10H010SPSQ-13实物图
  • DMTH10H010SPSQ-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH10H010SPSQ-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:100A

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描述
此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,并提供生产件批准程序(PPAP)支持。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH10H010SPSQ-13
商品编号
C5624230
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))8.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)166W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)56.4nC@10V
输入电容(Ciss)4.468nF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)746pF

商品概述

这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,非常适合高温环境
  • 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻RDS(ON),可将导通损耗降至最低
  • 开关速度快
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件

应用领域

-电机控制-DC-DC转换器-电源管理

数据手册PDF