温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT6005LCT
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6005LCT
- 商品编号
- C5624209
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W；104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.962nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 100%非钳位电感开关 - 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低输入电容
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子设备
- DC-DC转换器