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DMT6005LCT实物图
  • DMT6005LCT商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT6005LCT

1个N沟道 耐压:60V 电流:100A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT6005LCT
商品编号
C5624209
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)2.3W;104W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)47.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.962nF@30V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

这款MOSFET的设计旨在最大限度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低栅极阈值电压
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑的“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,且在通过IATF 16949认证的工厂生产

应用领域

  • 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF