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DMP31D7LFBQ-7B
1个P沟道 耐压:30V 电流:810mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP31D7LFBQ-7B
- 商品编号
- C5624154
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 810mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 530mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 19pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6平方毫米封装尺寸 — 比SOT23小十三倍
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-负载开关
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