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DMP65H11D0HSS-13
1个P沟道 耐压:600V 电流:270mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP65H11D0HSS-13
- 商品编号
- C5624163
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据适用的AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
商品特性
-低导通电阻-适用于电源应用的高BVdss额定值-低输入电容-快速开关-高效率-完全无铅,完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电机控制-背光灯-交流-直流转换器