温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT10H032LFDF-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H032LFDF-7
- 商品编号
- C5624184
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 683pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | -；-；- |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器