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DMP26M1UFG-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:71A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP26M1UFG-7
- 商品编号
- C5624139
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W；1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.392nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于基站应用的230 W LDMOS功率晶体管，在1800 MHz至2000 MHz频率范围内具有改进的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具备出色的热稳定性
- 专为宽带运行设计
- 较低的输出电容，可在多尔蒂应用中提升性能
- 低记忆效应设计，具备出色的预失真能力
- 内部匹配，使用便捷
- 集成ESD保护
- 符合关于限制有害物质（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于1800 MHz至2000 MHz频率范围内多标准和多载波应用的RF功率放大器
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