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DMP3007SCGQ-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP3007SCGQ-13

1个P沟道 耐压:30V 电流:50A

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品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP3007SCGQ-13
商品编号
C5624142
商品封装
VDFN3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.255克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)64.2nC@10V
输入电容(Ciss)2.826nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

μPA2561是双N沟道MOSFET,专为便携式设备的背光灯逆变器和电源管理应用而设计。双N沟道MOSFET封装在一个管壳内,有助于设备小型化。

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON)——确保导通状态损耗降至最低
  • 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品更小
  • 100%非钳位电感开关(生产中测试)——确保更高的可靠性
  • 人体模型(HBM)静电放电保护水平典型值为8kV
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件
  • 符合AEC - Q101高可靠性标准
  • 具备生产件批准程序(PPAP)能力

应用领域

-背光照明-电源管理功能-直流-直流转换器

数据手册PDF