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DMP2036UVT-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2036UVT-7
- 商品编号
- C5624132
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,6.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.808nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已按照相应的AEC标准进行设计和验证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻，传导损耗低
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V负载
- 通用功率开关
- 汽车系统
- 电机、灯具和螺线管