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DMN2991UTQ-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2991UTQ-13
- 商品编号
- C5624113
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V,100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.5pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代互补双MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 适用于电源应用的高BVdss额定值
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- 背光照明
- DC-DC转换器
- 电源管理功能