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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- SGT沟槽技术
- 低RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 100% 非钳位感性负载(UIS)测试,100% △VDS 测试
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
-高频开关-同步整流