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FH45P03G6
1个P沟道 耐压:30V 电流:45A
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- 描述
- P-Channel 增强模式 MOSFET 采用 Trench 技术，封装为 PDFN3.3x3.3-8L。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH45P03G6
- 商品编号
- C5453921
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
2301采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
~~- 高功率和电流处理能力-符合无铅产品要求-表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理