温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR167DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:23.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen II p- 通道功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR167DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5453932
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.38nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HS1195采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可应用于多种领域。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -8.5A
- VGS = -10V时，RDS(ON) < 22mΩ
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 31mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOP - 8封装
- 双P沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐