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SQD25N15-52_GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:25A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD25N15-52_GE3
- 商品编号
- C5453933
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
这款N沟道SGT MOSFET专为实现极低的导通电阻和卓越的EAS性能而设计，尤其适用于电池管理系统（BMS）和电机驱动应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 4.5 mΩ（典型值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
- 电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关