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FH1510GS实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH1510GS

1个N沟道 耐压:100V 电流:50A

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描述
FH1510GS采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH1510GS
商品编号
C5453924
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.177克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))8.2mΩ
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29.4nC@10V
输入电容(Ciss)2.131nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)606pF

商品概述

AGM038N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 超低 RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 高电流承载能力
  • 100% 进行UIS测试和100% 进行Rg测试

应用领域

-电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理-DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换-电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动

数据手册PDF