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INN100FQ016A
*半导体*晶体管
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- 描述
- GaN-on-Silicon增强模式高电子迁移率晶体管（HEMT），采用FCQFN封装，封装尺寸为4.0 mm x 6.0 mm。
- 商品型号
- INN100FQ016A
- 商品编号
- C5453928
- 商品封装
- FCQFN-25(4x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118421克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ |
商品概述
采用硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术，封装为FCQFN，尺寸为4.0毫米×6.0毫米。
商品特性
- 采用硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
- 极低的栅极电荷
- 超低的导通电阻
- 非常小的封装尺寸
应用领域
- 高频DC-DC转换器
- 负载点
- RF包络跟踪
- PC充电器
- 移动电源