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FH3055GS6
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3055GS6
- 商品编号
- C5453919
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道SGT MOSFET专为实现极低导通电阻（RDSON）而设计，同时保持卓越的开关性能，尤其适用于高效电源管理应用。
商品特性
- RDS(ON)(典型值) = 4.2 mΩ,VGS = 10V
- RDS(ON)(典型值) = 6.5 mΩ,VGS = 4.5V
- VDS = 30V;ID = 55A
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装(PDFN3.3x3.3-8L)
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
-高速开关-DC-DC 转换器-锂离子电池