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FH8214
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。针对需要广泛栅极驱动电压额定值的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8214
- 商品编号
- C5453920
- 商品封装
- DFN2x3-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 2.353nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 253pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH18P06G采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。其封装形式为PDFN5x6 - 8L，符合RoHS标准和无卤标准。
商品特性
- VDSS = -60V，ID = -80A
- RDS(ON) = 8.5 mΩ（典型值）@VGS = -10 V
- RDS(ON) = 10.5 mΩ（典型值）@VGS = -4.5 V
- 快速开关
- 低栅极电荷和RDS(on)
- 低反向传输电容
应用领域
- 电池开关应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理