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FH3050GS6
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 使用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON)，可用于各种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3050GS6
- 商品编号
- C5453918
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 731pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH1504G6采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关、PWM应用、电源管理及通用应用。
商品特性
- VDS = 40 V；ID = 48 A
- RDS(ON)（典型值）= 4.8 mΩ（@ VGS = 10 V）
- RDS(ON)（典型值）= 6.8 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
- 稳定性和一致性良好
- 经过100%雪崩测试
- 采用散热性能出色的封装