VEC2616-TL-W
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- VEC2616-TL-W
- 商品编号
- C604832
- 商品封装
- SOT-28FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0654克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 505pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@20V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款功率MOSFET采用安森美半导体的沟槽技术制造，该技术专为最小化栅极电荷和降低导通电阻而设计。该器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。
商品特性
- 4V驱动时导通电阻低
- 薄型封装
- 互补型N沟道和P沟道MOSFET
- 栅极具备ESD二极管保护
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动器