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FCD600N65S3R0
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD600N65S3R0
- 商品编号
- C604984
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 465pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货99-101个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
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