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FCH190N65F-F155
1个N沟道 耐压:650V 电流:20.6A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH190N65F-F155
- 商品编号
- C604993
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 680fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是采用电荷平衡技术的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品，具备出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术旨在最小化导通损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，可去除额外元件，提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型值RDS(on) = 168 mΩ
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 60 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 186 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-通信/服务器电源-太阳能逆变器-AC-DC电源