FCH072N60F-F085
FCH072N60F-F085
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH072N60F-F085
- 商品编号
- C604989
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V,26A | |
| 耗散功率(Pd) | 481W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.33nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结（SJ）MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。 因此，SuperFET II 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高压全桥和半桥 DC - DC、交错式升压 PFC、混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的升压 PFC。 SuperFET II FRFET MOSFET 优化了体二极管反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 26 A 时，典型 RDS(on) = 62 mΩ
- 在 VGS = 10 V、ID = 26 A 时，典型 Qg(tot) = 160 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 通过 AEC Q101 认证
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器