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FCH041N65F-F085
N沟道MOSFET，650 V，76 A，41 mΩ
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- 描述
- SuperFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合软开关和硬开关拓扑，如高压全桥和半桥DC-DC、交错式升压PFC、混合动力汽车（HEV）-电动汽车（EV）的升压PFC
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH041N65F-F085
- 商品编号
- C604987
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 234nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.566nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 227pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合软开关和硬开关拓扑，如高压全桥和半桥DC-DC、交错式升压PFC、混合动力汽车（HEV）-电动汽车（EV）的升压PFC。 SuperFET II FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 38 A时，典型RDS(on) = 34 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 38 A时，典型Qg(tot) = 234 nC
- 具备非钳位感性开关（UIS）能力
- 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 混合动力汽车（HEV）的汽车DC/DC转换器