温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AFN4172WSS8RG-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AFN4172WSS8RG-VB
- 商品编号
- C5444616
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试和栅极电阻测试
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换
- 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动
相似推荐
其他推荐
- AM20P06-135D-T1-PF-VB
- AM4825P-T1-PF-VB
- AP9973GJ-HF-VB
- APM1110NUC-TRG-VB
- APM2054NDC-TRL-VB
- APM3009NUC-TRL-VB
- APM4550KC-TRL-VB
- FDS6694-NL-VB
- FW232A-TL-E-VB
- IRF7101TRPBF-VB
- IRF7210TRPBF-VB
- IRF7306QTRPBF-VB
- IRF7311TRPBF-VB
- IRF7811WTRPBF-VB
- IRFIZ24GPBF-VB
- IRFR420TRPBF-VB
- IRFR9014TRPBF-VB
- IRFU5505PBF-VB
- IRFZ44RPBF-VB
- IRLML2803GTRPBF-VB
- IRLML6402GTRPBF-VB