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IRLML6402GTRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLML6402GTRPBF-VB

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLML6402GTRPBF-VB
商品编号
C5444637
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.078克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)835pF
反向传输电容(Crss)155pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)180pF

数据手册PDF

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