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SM3113NSUC-TRG-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SM3113NSUC-TRG-VB商品编号
C5444649商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
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