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RFD12N06RLESM-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RFD12N06RLESM-VB商品编号
C5444641商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,15A | |
| 功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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