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RFD12N06RLESM-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RFD12N06RLESM-VB
- 商品编号
- C5444641
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
-沟槽功率MOSFET-可承受175°C结温-符合RoHS标准-漏极连接至散热片-N沟道MOSFET
- RRH100P03TB-VB
- RSS065N06-TB-VB
- SI3585DV-T1-E3-VB
- SI4466DY-T1-E3-VB
- SI4562DY-T1-E3-VB
- SI4913DY-T1-E3-VB
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- SM3113NSUC-TRG-VB
- ST2341S23RG-VB
- SUD08P06-155L-VB
- TPC8A02-H-VB
- UTM4052L-S08-R-VB
- XP162A12A6PR-VB
- ZXMN3F30FHTA-VB
- ZXMP10A18KTC-VB
- ZXMP3F30FHTA-VB
- SI4421DY-T1-E3-VB
- AXK5S00337YG
- HF920GS-Z
- JW3651QFNE#TRPBF
- SSM3K361R,LF